بستر کاربید سیلیکون

سیلیکونبستر کاربید:

آ. مواد اولیه: SiC به طور طبیعی تولید نمی شود بلکه توسط سیلیس، کک و مقدار کمی نمک مخلوط می شود و کوره گرافیت تا بیش از 2000 درجه سانتی گراد گرم می شود و A -SIC تولید می شود. اقدامات احتیاطی، می توان یک مجموعه پلی کریستالی به شکل بلوک سبز تیره به دست آورد.

ب روش ساخت: پایداری شیمیایی و پایداری حرارتی SiC بسیار خوب است. دستیابی به چگالش با استفاده از روش های رایج دشوار است، بنابراین لازم است یک کمک زینتر شده اضافه شود و از روش های خاصی برای آتش زدن استفاده شود، معمولاً با روش پرس حرارتی خلاء.

ج ویژگی های زیرلایه SiC: متمایزترین ماهیت این است که ضریب انتشار حرارتی به ویژه بزرگ است، حتی مس بیشتر از مس، و ضریب انبساط حرارتی آن بیشتر به Si نزدیک است. البته، کاستی هایی وجود دارد، نسبتاً ثابت دی الکتریک بالا است و ولتاژ مقاومت عایق بدتر است.

د. کاربرد: برای سیلیکونبسترهای کاربید، توسعه طولانی، استفاده چندگانه از مدارهای ولتاژ پایین و بسته های خنک کننده بالا VLSI، مانند سرعت بالا، نوار LSI منطقی با یکپارچگی بالا، و کامپیوترهای فوق العاده بزرگ، کاربرد بستر لیزر دیود اعتباری ارتباط نور و غیره.

بستر کیس (BE0):

رسانایی حرارتی آن بیش از دو برابر A1203 است که برای مدارهای پرقدرت مناسب است و ثابت دی الکتریک آن پایین است و برای مدارهای فرکانس بالا قابل استفاده است. بستر BE0 اساساً از روش فشار خشک ساخته شده است و همچنین ممکن است با استفاده از مقدار کمی MgO و A1203 مانند روش پشت سر هم تولید شود. به دلیل سمی بودن پودر BE0، مشکل زیست محیطی وجود دارد و بستر BE0 در ژاپن مجاز نیست، فقط می توان آن را از ایالات متحده وارد کرد.